廣東多晶硅料庫存
廣東多晶硅料庫存大概數(shù)據(jù)
| 時間 | 品名 | 庫存范圍 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 2021 | 多晶硅料 | 5000-6000 | 噸 |
| 2021 | 多晶硅料 | 6000-7000 | 噸 |
| 2021 | 多晶硅料 | 7000-8000 | 噸 |
廣東多晶硅料庫存行情
廣東多晶硅料庫存資訊
5月金融數(shù)據(jù)出爐：“活錢”增多M1增速明顯上升 企業(yè)提款意愿明顯增加
今日，中國人民銀行公布5月金融數(shù)據(jù)。2025年5月末，廣義貨幣（M2）余額325.78萬億元，同比增長7.9%。狹義貨幣（M1）余額108.91萬億元，同比增長2.3%。前五個月凈投放現(xiàn)金3064億元。 社融方面，2025年5月末社會融資規(guī)模存量為426.16萬億元，同比增長8.7%。1-5月，社會融資規(guī)模增量為18.63萬億元，同比多增3.83萬億元。單看5月，社會融資規(guī)模增量為2.29萬億元，同比多增2247億元。 “社融規(guī)模增長較快，主要受政府債券和企業(yè)債券等直接融資拉動。”權威專家對財聯(lián)社記者解析道，其中，企業(yè)債券融資情況有明顯變化。“二季度以來，企業(yè)發(fā)債成本總體呈低位下行態(tài)勢，5月5年期AAA級企業(yè)債到期收益率平均為1.97%，在4月較低水平上進一步下降。低利率背景下企業(yè)加大債券融資力度，有助于降低整體融資成本。” 此外，也有銀行客戶經(jīng)理對財聯(lián)社記者反映，現(xiàn)在銀行客戶普遍都對利率調(diào)整比較關注，5月份央行降低了政策利率，作為貸款市場定價基準的LPR也隨之下行，很多企業(yè)感到利率更加劃算，提款意愿明顯增加。 “活錢”增速明顯加快 個人按揭貸款投放有所增多 在5月的金融數(shù)據(jù)中，M1增速也有明顯變化。 5月末，M1同比增長2.3%，對此，權威專家對財聯(lián)社記者坦言，目前M1統(tǒng)計口徑中包括流通中貨幣（M0）、單位和個人活期存款、非銀行支付機構(gòu)客戶備付金（如微信錢包、支付寶余額等），與趴在銀行賬戶上的定期存款相比，屬于支付交易較為便利的“活錢”。5月份這部分“活錢”的增速明顯加快。 在權威專家看來，“活錢”增速明顯加快，體現(xiàn)了近期一攬子金融支持措施有效提振了市場信心，投資、消費等經(jīng)濟活動有回暖提升跡象。 同樣證明經(jīng)濟活動熱度變化的指標，還有個人貸款方面。數(shù)據(jù)顯示，有銀行人士對財聯(lián)社記者反映，隨著當?shù)胤康禺a(chǎn)市場交易繼續(xù)回暖，個人按揭貸款投放有所增多。 債券對貸款的替代效應繼續(xù)顯現(xiàn) 對于市場關注的貸款數(shù)據(jù)，權威專家對財聯(lián)社記者表示，社會融資規(guī)模中近九成都是債券和貸款，盡管二者適用場景存在差異，但一定程度上能夠互為替代補充，共同為經(jīng)濟穩(wěn)定增長營造良好的金融總量環(huán)境。 事實上，近期，債券對貸款的替代作用也較為明顯。對此，專家解讀稱，一方面，發(fā)行特殊再融資債用于償還銀行貸款，還原相關影響后貸款增速仍在8%左右。“去年四季度用于化債的特殊再融資專項債發(fā)行超過2萬億，今年以來又發(fā)行超過1.6萬億元，市場調(diào)研初步估算，對應置換的貸款約有2.3萬億元，還原后5月末貸款增速仍在8%左右。 上述專家坦言，短期看，融資平臺債務置換歸還銀行貸款，可能會影響信貸總量，但長期看有助于緩釋地方債務風險，騰挪出更多地方財力惠民生、促發(fā)展，增強經(jīng)濟增長動能。 另一方面，政府債券替代銀行貸款。有市場專家對財聯(lián)社記者表示，部分政府債券投向與銀行貸款投向存在一定重合，如基礎設施項目中，專項債和銀行貸款都能夠作為資金來源。在收購存量商品房用作保障性住房項目中，除了可用銀行貸款提供支持以外，近期又將專項債新加入政策工具箱中，目前正在逐步落地。 有某東部省份多家銀行對財聯(lián)社記者反映，今年以來財政政策更加積極，地方債發(fā)行有所增多，地方政府和相關企業(yè)更傾向于用專項債解決項目建設的資金需求，對銀行貸款有一定替代作用。數(shù)據(jù)顯示，今年1-4月固定資產(chǎn)投資資金來源中，包含政府債券在內(nèi)的國家預算資金同比增長16.7%，明顯高于自籌資金（3.9%）、國內(nèi)貸款（2.8%）和其他資金來源（-4.2%）的同比增速。 此外，企業(yè)債券也某種程度上替代了銀行貸款。權威專家對財聯(lián)社記者分析稱，除利率影響外，一些趨勢性、制度性的因素也在影響企業(yè)的融資方式選擇。近年來一系列支持政策持續(xù)推出，助力企業(yè)發(fā)債渠道更加暢通，特別是民營、科創(chuàng)企業(yè)債券融資展現(xiàn)出更多積極變化。今年5月初，人民銀行、證監(jiān)會發(fā)布多項支持科技創(chuàng)新債券發(fā)行的措施，隨著這些措施逐步落地見效，企業(yè)發(fā)行科技創(chuàng)新債券融資將得到更多便利。 “由此，在融資渠道日益豐富、直接融資加快發(fā)展的背景下，社會融資規(guī)模比貸款更能全面衡量金融支持力度。”權威專家解讀稱。
2025-06-14 20:12:25美國關鍵材料公司將建設羊溪中試廠
據(jù)Mining.com網(wǎng)站報道，美國關鍵材料公司（U.S. Critical Materials Corp.，USCMC）與愛達荷國家實驗室（Idaho National Laboratory，INL）的合作研發(fā)協(xié)議（Cooperative Research & Development Agreement，CRADA）已經(jīng)進入第二階段，目標是建設一個能夠在國內(nèi)生產(chǎn)稀土的中試規(guī)模加工廠。 這座設施將加工來自公司在蒙大拿州的羊溪（Sheep Creek）礦床的高品位礦石，該項目含有鍶、鈮、鐠、釹、釤、鈧、釓、鋱、鏑和釔等礦產(chǎn)。 這家來自猶他州的私營企業(yè)在羊溪礦床地下125英尺深處采集的樣品分析顯示，其品位高于美國國內(nèi)其他任何一個稀土礦。2024年初以來，第一階段的CRADA已經(jīng)確認羊溪礦體中含有高品位的鎵和稀土元素。 鎵是羊溪礦床首先加工的礦產(chǎn)之一，對于國家安全極為重要。 公司稱，這一措施符合特朗普總統(tǒng)的三月行政命令，該命令宣布進入全國緊急狀態(tài)，理由是這些戰(zhàn)略材料嚴重依賴敵對國家。 幾十年來，美國一直依賴國外稀土供應鏈。在地緣政治不穩(wěn)和關稅戰(zhàn)升級的背景下，美國亟需在國內(nèi)建立國防和高科技必要的稀土供應鏈。 INL以其在先進分離科學和工程方面的專業(yè)能力而世界聞名，也是美國能源部主要的分離科學研發(fā)基地。 USCM公司稱，INL科學家將奉獻專業(yè)知識，以確保試點廠能運用環(huán)境友好的處理工藝，從而進一步擴大到全面生產(chǎn)。目前，該試點廠將對INL獨有的加工方法進行擴大驗證，確保美國國防所需的規(guī)模生產(chǎn)能力。 該公司稱，其目標是減少美國對敵對國家關鍵礦產(chǎn)的依賴，確保國防系統(tǒng)使用的稀土來自國內(nèi)供應鏈，并發(fā)展對于國家安全韌性至關重要的礦產(chǎn)加工技術。 基于已驗證的基準規(guī)模工藝，試點廠每天可處理1-2噸礦石。 該試點廠還將驗證最新礦物加工和分離技術，并獲得關鍵材料的知識產(chǎn)權，構(gòu)建可擴展的國內(nèi)生產(chǎn)能力。 “沒有比確保美國稀土和關鍵礦物供應更急迫的國家安全問題了”，USCM公司總裁、前美國地質(zhì)調(diào)查局（USGS）稀土專家吉姆·海德里克（Jim Hedrick）在聲明中稱。 “這些材料是我們軍事、能源和技術統(tǒng)治的基石。試點廠將加速開發(fā)下一代分離和精煉方法以確保美國國防關鍵材料不再依賴敵對國家”。
2025-06-14 17:10:10基本金屬多數(shù)下跌，期銅觸及近兩周低點【6月13日LME收盤】
6月13日（周五），倫敦金屬交易所（LME）基本金屬多數(shù)下跌，中東局勢急劇升級促使投資者拋售風險資產(chǎn)，導致美元走強。 倫敦時間6月13日17:00(北京時間6月14日00:00)，LME三個月期銅下跌57美元或0.59%，收報每噸9,645美元，盤中觸及9,532美元，為6月3日以來最弱。 在中東局勢急劇升級后，美元指數(shù)攀升，全球股市下跌。美元走強使得以美元計價的商品對使用其他貨幣的買家來說更加昂貴。 經(jīng)紀公司Marex的高級基本金屬策略顧問Alastair Munro表示，“市場正在降低在銅和鋁上的風險。” “當前的事件消除了價格向上游逃跑的可能性。當然，價格下跌將取悅那些尋求逢低買入的人。” 自4月7日觸及2023年11月以來最低價位以來，到本周早些時候，LME期銅已反彈了約20%。 COMEX期銅較LME期銅的升水達到每噸976美元。 Munro稱，大部分賣盤是由商品交易顧問（CTA）投資基金所為。 其他金屬方面，LME三個月期鋁下跌14.50美元或0.58%，報每噸2,503.00美元。 受庫存下降支撐，滬鋁則連升第三日，收報每噸20,440元，漲幅0.49%，表現(xiàn)好于上期所其他金屬。 一家期貨公司的分析師稱：“與其他金屬相比，鋁最近表現(xiàn)相當強勁，因為國內(nèi)市場需求旺盛，而上期所庫存一直在下降。” 截至6月13日當周，上期所鋁庫存降至110,001噸，為2024年2月以來最低，自3月下旬以來已銳減54%。
2025-06-14 16:48:27第二代化合物半導體材料介紹及市場應用【小金屬大會】
6月13日，在由 山東恒邦治煉股份有限公司、上海有色網(wǎng)信息科技股份有限公司（SMM） 主辦的 2025 SMM（第十三屆）小金屬產(chǎn)業(yè)大會——稀散金屬論壇（銦鍺鎵鉍硒碲） 上，浙江康鵬半導體有限公司市場總監(jiān)劉佳分享了“第二代化合物半導體材料介紹及市場應用”這一主題。 1.材料介紹 1.1材料介紹 1.2砷化鎵材料介紹 砷化鎵，化學式為GaAs（Gallium Arsenide)，是由砷和鎵化合形成的晶體材料，屬于第二代III-V族化合物半導體，具有直接帶隙結(jié)構(gòu)，常溫下禁帶寬度1.42eV，遠大于鍺的0.67eV和硅的1.12eV，熔點1238℃。外觀具有金屬光澤、性脆而硬，常溫下干燥空氣中比較穩(wěn)定。 1.3砷化鎵材料介紹 砷（Arsenic），舊稱“砒”，元素符號為As，原子序數(shù)33。單質(zhì)砷以灰砷、黑砷和黃砷這三種同素異形體的形式存在，其中灰砷最為常見。常溫下灰砷最穩(wěn)定，具有金屬性，質(zhì)脆而硬、不溶于水、密度5.73g/cm³，熔點814℃，沸點615℃。 全球砷礦資源的分布很不均衡，其中砷探明儲量的70%集中在中國，主要伴生在錫、鉛、鋅、銅、金等礦產(chǎn)資源中。砷及其化合物用途廣泛，有機和無機砷農(nóng)藥用于殺蟲、殺菌等；砷亦可用于制造三五族半導體材料砷化鎵、砷化銦和砷化鋁。 接觸源：自然界中砷極少以單質(zhì)狀態(tài)存在，多以砷化物存在于巖石、煤炭、空氣、土壤、地面和地下水中。在海產(chǎn)食品中，砷主要是以毒性較小的有機形式存在。在工業(yè)上，砷用作合金添加劑，用于玻璃、涂料、紡織品、紙張、金屬粘合劑、木材防腐劑和彈藥的處理。吸煙也可接觸煙草中含有的天然無機砷，因為煙草植物主要是從土壤中攝取土壤中天然存在的砷。 1.4砷化鎵材料介紹 鎵（Gallium），元素符號為Ga,原子序數(shù)31。在標準狀況下，鎵元素是質(zhì)地柔軟的銀色金屬，在29.76℃時變?yōu)殂y白色液體，鎵的沸點可達到2403℃。鎵在干燥空氣中較穩(wěn)定并生成氧化物薄膜阻止繼續(xù)氧化，在潮濕空氣中失去光澤進一步氧化。 鎵在地殼中的含量僅為0.0015％，是七種稀散金屬之一（鎵、鍺、硒、銦、碲、錸和鉈）。鎵不單獨形成礦物，目前世界90%以上的鎵都是在生產(chǎn)氧化鋁過程中提取的。鎵在我國已被列為戰(zhàn)略儲備金屬，已探明的中國金屬鎵儲量為19萬噸，全球占比約68%，位居全球首位。 6N及以上純度的金屬鎵主要用于制造砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體。目前，化合物半導體是我國金屬鎵最大消費領域，占消費量80%左右。 1.5砷化鎵多晶合成 多晶合成：砷升華后，與鎵進行化合反應形成砷化鎵，在1250℃左右降溫，形成砷化鎵多晶。 1.6砷化鎵單晶生長 •單晶生長：通過引用籽晶，在1250℃左右緩慢降溫，形成砷化鎵單晶。 •4寸單晶生長14天，6寸單晶生長15天-17天。 1.7砷化鎵單晶生長 •水平布里奇曼法（HB） •液封切克勞斯基法（LEC） •垂直布里奇曼法（VB） •垂直梯度凝固法（VGF） 目前HB法生長的單晶直徑最大一般是3英寸，LEC法生長的單晶直徑最大可以到12英寸，但是使用LEC法生長單晶晶體設備投入成本高，且生長的晶體不均勻且位錯密度大。 VGF法和VB法生長的單晶直徑最大可達8英寸，生長的晶體較為均勻且位錯密度較低；在單晶質(zhì)量上，相比其它方法，VGF法生長的晶體的位錯密度低且生產(chǎn)效率穩(wěn)定；在生產(chǎn)成本上，HB法的成本最低，LEC法的成本最高，VB法和VGF法生產(chǎn)的產(chǎn)品性能類似，VGF能以更低成本穩(wěn)定生產(chǎn)單晶。 1.8磷化銦材料簡介 磷化銦，是一種無機化合物，化學式為InP（Indium Phosphide)，為銀灰色單晶，極微溶于無機酸，屬于第二代III-V族化合物半導體。磷化銦有其獨特的物理化學性質(zhì)，如高飽和電子漂移速度、強抗輻射能力、良好的導熱性、高光電轉(zhuǎn)換效率和寬禁帶寬度等。 InP可以通過摻雜特定的雜質(zhì)原子來調(diào)整其電學性能，滿足不同器件的需求。摻雜可分為N型摻雜、P型摻雜、半絕緣摻雜等。 1）N型摻雜：增加材料中的自由電子濃度，形成電子導電。常用的n型摻雜劑：如S。N 型摻S的InP可用于光探測器。 2）P型摻雜：增加材料中的空穴濃度，形成空穴導電。常用的p型摻雜劑：如Zn；P 型摻Zn的InP主要用于高功率激光二極管。 3）半絕緣摻雜：如摻Fe：雖然Fe通常與P型摻雜相關，但在低濃度下，可以作為補償摻雜劑，平衡電子和空穴，達到高電阻態(tài)。半絕緣襯底主要用于制作射頻器件。另有非摻雜半絕緣InP。 1.9磷化銦材料簡介 1863年，德國的賴希和李希特，用光譜法研究閃鋅礦，發(fā)現(xiàn)新的元素，即銦。銦資源極度稀缺，是七種稀散金屬之一，僅相當于黃金儲量的1/ 6，并且沒有獨立銦礦。鉛鋅礦床是銦的主要伴生礦床，世界上90%的原生銦產(chǎn)量來自鉛鋅冶煉廠的副產(chǎn)物鋅礦中。全球預估銦儲量僅5萬噸，其中可開采的占50%。 從銦的分布看，全球銦資源整體儲量較小，主要集中在中國、秘魯、美國、加拿大和俄羅斯等國家，其中中國儲量最高。根據(jù)過往數(shù)據(jù)顯示，中國銦資源儲量占全球銦資源儲量的72.7%，全球排名第一。 1.10磷化銦材料簡介 磷（Phosphorus），元素周期表第三周期第15族非金屬元素，元素符號P。1669年，德國漢堡一位叫布蘭德（Henning Brand）的商人在尿液中發(fā)現(xiàn)了磷，用了至少5000—6000升尿液。 磷有多種同素異形體，其中最常見的是： 白磷（黃磷 ）：在通常狀態(tài)下，白磷是一種蠟狀白色固體，不溶于冷水，但可溶于CS?。白磷在環(huán)境溫度達到40℃以上極易發(fā)生自燃；當暴露在陽光照射下或在隔絕空氣加熱到250℃的情況下時，白磷會轉(zhuǎn)化為紅磷。 紅磷：為紅褐色粉末，不溶于熱水，熔點約590℃(4357千帕)，可在1個標準大氣壓、417℃時升華。紅磷的著火點約260℃，危險性比白磷低一些。可以使用紅磷直接與銦反應來制備磷化銦。 儲存于陰涼通風處，溫度不超過35℃，相對濕度低于80%。遠離火種、熱源，與氧化劑、鹵素、鹵化物等分開存放。 1.11磷化銦材料簡介 磷化銦單晶生長溫度1070±20后緩慢降溫，生長周期10-15天 1.12磷化銦材料簡介 溫場分布（左側(cè)）圖中顏色從藍色到紅色表示溫度從低到高的變化。VGF法通過精確控制合理的溫度梯度和均勻的熱場分布來促進單晶的生長，確保晶體質(zhì)量。 流場分布（右側(cè)圖）：展示了熔體內(nèi)的流場分布，流場的分布影響熔體的對流和熱傳遞，通過控制流場，可以優(yōu)化晶體生長條件，提高晶體的純度和均勻性。 總結(jié)：VGF法通過精確控制熱場和流場，實現(xiàn)對晶體生長過程的優(yōu)化。 1.13加工工藝 2.應用領域 2.1砷化鎵應用領域 2.2砷化鎵應用領域 目前浙江康鵬生產(chǎn)的半絕緣（UN）和激光（VCSEL/ LD）產(chǎn)品均采用純度為7N的高純砷和高純鎵，LED和太陽能電池用產(chǎn)品采用純度為6N的高純砷和高純鎵。 2.3砷化鎵應用領域 ?LED及新一代顯示 LED按發(fā)光波長可分為可見光和不可見光兩類；按芯片尺寸分為常規(guī)LED、Mini LED和Micro LED。可見光LED以顯示用途為主（通用照明、戶外大顯示屏等），不可見光如紅外LED主要應用于安全監(jiān)控、家電用品遙控器、理療儀、紅外通信等。 Micro LED和Mini LED是新一代LED顯示技術，Mini LED以HDR、異型顯示器等背光源應用為訴求，適合應用于手機、電視、車用面板及電競筆記型計算機等產(chǎn)品上；Micro LED已成熟應用于安防、交通、電力、能源、影視、會議、教育、展覽展示等中高端專用及商用顯示領域，并不斷向電視/家庭影院、VR/AR、智能穿戴設備、車用顯示器等多個消費領域拓展。Mini LED可以大幅提升現(xiàn)有的液晶畫面效果，Micro LED對于畫質(zhì)會有質(zhì)的提升，是下一代的革命性顯示技術。 2.4砷化鎵應用領域 ?太陽能電池 太陽能電池利用半導體材料的光電效應將太陽能直接轉(zhuǎn)換為電能。在眾多太陽能電池技術中，砷化鎵太陽能電池以高光電轉(zhuǎn)換效率、高抗輻射能力和高技術含量而著稱。自問世以來主要被用于為航空航天和軍用設備提供能源；目前太陽能電池被廣泛應用于為工業(yè)、農(nóng)業(yè)灌溉系統(tǒng)、通信基站、海洋和水下監(jiān)測設備等提供電力，同時太陽能充電寶、太陽能背包等便攜式設備，為戶外活動提供便利。 2.5砷化鎵應用領域 ?半導體激光器 激光器是基于量子力學中的受激輻射過程產(chǎn)生可見光或不可見光的一種器件，構(gòu)造復雜，技術壁壘較高，是由大量光學材料和元器件組成的綜合系統(tǒng)。 利用砷化鎵電子遷移率高、光電性能好的特點，使用砷化鎵襯底制造的紅外激光器、傳感器具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、高擊穿電壓等特點，可用于光通信（數(shù)據(jù)中心短距離傳輸）、消費電子（3D感測）、無人駕駛、醫(yī)療美容、工業(yè)加工、軍事（激光制導、激光引信）等應用領域。 2.6砷化鎵應用領域 ?射頻器件 射頻器件是實現(xiàn)信號發(fā)送和接收的關鍵器件，射頻器件主要包括射頻前端模塊（功率放大器、低噪聲放大器等）、射頻收發(fā)器、射頻開關、濾波器、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換器等器件。 砷化鎵具有較高的電子遷移率、高電阻和較低的噪聲系數(shù)，是制造高性能的微波射頻發(fā)射器、高頻功率放大器的首選材料。 可應用于移動終端、衛(wèi)星通信、物聯(lián)網(wǎng)設備、軍用雷達、民用雷達（氣象雷達、汽車防撞雷達）、航空航天、安全通信等。 2.7砷化鎵應用領域 ?軍事應用 軍事應用是砷化鎵的傳統(tǒng)領域。砷化鎵在軍事方面的應用主要是砷化鎵在雷達、電子戰(zhàn)爭、通信、GPS裝備、導彈引信系統(tǒng)等方面的應用, 曾在海灣戰(zhàn)爭中大顯神威。 其中雷達應用占軍事應用的比例約60%。近年來民用占整個砷化鎵的市場份額雖已遠遠超過軍用，但軍用市場仍是一個重要領域。 2.8磷化銦應用領域 目前全球磷化銦襯底行業(yè)最主要的應用領域：光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件。 2.9磷化銦應用領域 ?光模塊 光模塊是光通信的核心器件，是通過光電轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)設備間信息傳輸?shù)慕涌谀K，主要應用于通信基站和數(shù)據(jù)中心等領域。磷化銦襯底用于制造光模塊中價值最高的激光器和接收器。直接決定光模塊的傳輸速率的是光芯片。 光芯片按功能可以分為激光器芯片和探測器芯片，其中激光器芯片主要用于發(fā)射信號，將電信號轉(zhuǎn)化為光信號；探測器芯片主要用于接收信號，將光信號轉(zhuǎn)化為電信號。激光器芯片按出光結(jié)構(gòu)可進一步分為面發(fā)射芯片和邊發(fā)射芯片，面發(fā)射芯片包括 VCSEL 芯片，邊發(fā)射EEL芯片包括 FP、 DFB（分布式反饋激光器） 和 EML（電吸收調(diào)制激光器）芯片； 探測器芯片，主要有 PIN 和 APD（雪崩光電二極管） 兩類。 2.10磷化銦應用領域 ?傳感器 由于磷化銦具備飽和電子漂移速度高、導熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，使用磷化銦襯底制造的可穿戴設備具備脈沖響應好、信噪比好等特性。用磷化銦襯底制造的可穿戴設備中的傳感器，可用于監(jiān)測心率、血氧濃度、血壓、血糖水平等生命體征。 此外，相比其它基底，用InP襯底制造的激光傳感器可以發(fā)出不損害視力的不可見光，可應用于虛擬現(xiàn)實（VR）眼鏡（提升其感知能力，增強數(shù)據(jù)處理速度）、汽車雷達（波長1550nm激光器）等產(chǎn)品中。 2.11磷化銦應用領域 ?射頻器件 使用磷化銦襯底制造的射頻器件（以下簡稱“磷化銦基射頻器件”）已在衛(wèi)星、雷達等應用場景中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。磷化銦基射頻器件在雷達和通信系統(tǒng)的射頻前端、模擬/混合信號寬帶寬電路方面具有較強競爭力，適合高速數(shù)據(jù)處理、高精度寬帶寬A/D轉(zhuǎn)換（模/數(shù)轉(zhuǎn)換）等應用。 磷化銦基射頻相關器件如低噪聲放大器、模塊和接收機等器件還被廣泛應用于衛(wèi)星通信、毫米波雷達、有源和無源毫米波成像等設備中。在100GHz以上的帶寬水平，使用磷化銦基射頻器件在回程網(wǎng)絡和點對點通信網(wǎng)絡的無線傳輸方面具有明顯優(yōu)勢，未來在6G通信甚至7G通信無線傳輸網(wǎng)絡中，磷化銦襯底將有望成為射頻器件的主流襯底材料。 2.12磷化銦應用領域 ?人工智能 銦磷頭部A公司首席執(zhí)行官M.Y表示，“我們看到AI等領域的磷化銦訂單在增加。AI是磷化銦的一個新興應用，未來幾年將會有令人振奮的發(fā)展。目前，AI相關應用主要使用砷化鎵VCSEL，所需的基底材料相對較少。但是，隨著行業(yè)發(fā)展到800G和1.6T的速度，預計有必要過渡到磷化銦。 AI推升了帶寬增加、低衰減和低失真的大規(guī)模數(shù)據(jù)傳輸需求。銦磷化物作為快速數(shù)據(jù)傳輸?shù)淖罴哑脚_，需求有望隨之增長。市場對磷化銦在AI領域的應用，推高了6英寸磷化銦的需求。磷化物具備高信號清晰度、長距離傳輸能力，是AI應用的最佳選擇。” 砷化鎵和磷化銦市場及前景 3.1砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 其對砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈進行了介紹。 3.2砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 3.3砷化鎵市場前景 根據(jù)IndustryARC測算，到2030年全球砷化鎵（GaAs）市場規(guī)模將達到5.703億美元，2024-2030年復合增長率為9.8％ 。 砷化鎵襯底下游應用包括LED、新一代顯示（Micro / Mini LED）、射頻器件、激光器等，其中射頻和LED占比較大，顯示和激光器未來增速較快。得益于下游應用市場需求持續(xù)旺盛，砷化鎵襯底市場規(guī)模將持續(xù)擴大。 3.4砷化鎵市場前景 LED技術的進步使得發(fā)光效率不斷提高，成本降低，推動了下游背光、照明等應用市場的需求增長。近年來，全球LED用砷化鎵襯底出貨量約占總砷化鎵襯底出貨量的40%。2026年全球LED器件砷化鎵襯底市場規(guī)模將持續(xù)增長。 根據(jù)Yole預測，2025年全球LED器件砷化鎵襯底（折合二英寸）市場銷量將超過1,300萬片，2020-2025年復合增長率為11.73%；2025年全球LED器件砷化鎵襯底（折合二英寸）市場規(guī)模將超過9,600萬美元，2020-2025年復合增長率為9.86%。 3.5砷化鎵市場前景 隨著高端顯示、微顯示和可穿戴設備等高端市場的需求增加，2026年全球Mini LED和Micro LED器件砷化鎵襯底市場規(guī)模預計將繼續(xù)增長。 2025年全球Mini LED及Micro LED器件砷化鎵襯底（折合二英寸）市場銷量將從2020年的248.40萬片增長至613.80萬片，年復合增長率為19.83%；2025年全球Mini LED及Micro LED器件砷化鎵襯底（折合二英寸）市場規(guī)模將達到7,000萬美元，2020-2025年復合增長率為28.47%。 3.6砷化鎵市場前景 從全球來看，航天器、軍事和民用衛(wèi)星的大量發(fā)射是砷化鎵太陽能電池巨大的市場所在。從市場應用看，航天領域占市場規(guī)模的90.79%，其次為軍事領域，占比7.03%，民用領域占比較小，只有2.18%。根據(jù)QY Research預測，2029年全球砷化鎵太陽能電池銷售額將超5.45億美元。 在探月工程、神舟計劃等航天計劃發(fā)展需求的帶動下，我國在空間用砷化鎵太陽能電池的研發(fā)和生產(chǎn)取得快速發(fā)展，目前中國空間站使用砷化鎵太陽能電池供電，光電轉(zhuǎn)換率超30%。伴隨著“星網(wǎng)”和“G60星鏈”在低軌衛(wèi)星星座建設的加速，砷化鎵太陽能電池成為衛(wèi)星電源系統(tǒng)的核心組成部分，將帶動產(chǎn)業(yè)鏈上游環(huán)節(jié)如襯底、外延片等進入新一輪上行周期。 3.7砷化鎵市場前景 隨著5G通信技術和人工智能技術的發(fā)展，同時受益于物聯(lián)網(wǎng)傳感技術的廣泛應用，根據(jù)Yole預測，激光器是砷化鎵襯底未來五年最大的應用增長點之一。 2025年，全球激光器砷化鎵襯底（折合二英寸）的市場銷量將從2020年的130.5萬片增長至330.3萬片，年復合增長率為20.4%；2025年，全球激光器砷化鎵襯底（折合二英寸）市場規(guī)模將達到6,100萬美元，2020-2025年復合增長率為16.85%。 3.8砷化鎵市場前景 VCSEL作為3D成像和傳感系統(tǒng)的核心器件，據(jù)Yole預測，隨著3D傳感技術在在智慧駕駛、機器人、智能家居、人臉/全身識別和VR/AR等領域的深度應用，VCSEL市場將持續(xù)快速發(fā)展，繼而加大砷化鎵襯底的需求。 Yole測算，在手機消費、通信設備、汽車工業(yè)、機器人等多產(chǎn)業(yè)的推動下，2026年VCSEL的市場規(guī)模將達到24億美元。2025年全球VCSEL器件砷化鎵襯底（折合二英寸）市場規(guī)模將超過5,600萬美元，2021-2025年復合增長率為10.9%。 3.9砷化鎵市場前景 伴隨5G通信技術的快速發(fā)展與不斷推廣，5G基站建設以及5G手機的推廣，手機PA射頻芯片用量將增大，進一步帶動砷化鎵基射頻器件穩(wěn)步增長。 根據(jù)QY Research測算，2023年全球射頻器件用砷化鎵襯底市場規(guī)模大約為163百萬美元，預計到2030年達到294百萬美元，2023-2030年年均復合增長率為8.8%。 3.10砷化鎵市場前景 3.11磷化銦市場及前景 ?磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈 磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈上游企業(yè)包括襯底廠商及外延廠商，如北京通美、日本JX、Sumitomo及其他國內(nèi)襯底廠商以及IQE、臺灣聯(lián)亞光電、臺灣全新光電、臺灣英特磊等外延廠商，器件領域包括 Finisar, NeoPhotonics, Lumentum等企業(yè)。 下游主機廠商包括華為、中興、Cisco等企業(yè)，終端應用包括中國移動、中國電信、中國聯(lián)通、騰訊、阿里巴巴、Apple、Google、Amazon等企業(yè)。 3.12磷化銦市場及前景 ?磷化銦光電器件 目前，InP晶圓市場的真正推動力在于光子應用。在光通信中，InP在許多功能中提供高性能，包括發(fā)射、探測、調(diào)制和混合等，但由于其高成本，InP經(jīng)常受到其它半導體技術的挑戰(zhàn)。然而，InP是電信和數(shù)據(jù)通信應用中的收發(fā)器激光二極管不可或缺的構(gòu)建模塊。 其還從5G推動InP光模塊市場以及磷化銦傳感器市場發(fā)展迅速等角度對磷化銦市場及前景進行了闡述。 3.16磷化銦市場及前景 ?全球磷化銦市場競爭格局 由于在磷化銦單晶生長設備和技術方面存在較高壁壘，國外壟斷格局較明顯，目前行業(yè)市場集中度較高。 2020年數(shù)據(jù)顯示，全球前三大廠商占據(jù)磷化銦襯底行業(yè)90%以上市場份額，其中日本住友市場份額占比最高，為42%，其使用LEC技術可以生長出直徑4英寸的磷化銦單晶；其次是北京通美，占比36%，其使用VGF和VB技術可以生長出直徑6英寸磷化銦單晶。 最后，其對浙江康鵬半導體有限公司進行了介紹。 》點擊查看2025 SMM（第十三屆）小金屬產(chǎn)業(yè)大會專題報道
2025-06-13 13:58:46特朗普稱可能很快上調(diào)汽車關稅 以促進更多美國本土生產(chǎn)
據(jù)外媒報道，6月12日，美國總統(tǒng)特朗普警告稱，他可能會很快上調(diào)汽車關稅，并聲稱此舉將促使汽車制造商加快在美國的投資。 特朗普在白宮的一場活動中表示，“我可能在不久的將來提高汽車關稅，關稅越高，汽車制造商就越有可能在美國建廠。” 特朗普列舉了近期一系列的投資公告，包括通用汽車本周宣布計劃向美國三家工廠投資40億美元，并將部分SUV生產(chǎn)從墨西哥轉(zhuǎn)移至美國。他還提到現(xiàn)代汽車今年3月宣布的210億美元投資，其中包括在美國新建一家鋼鐵廠。 特朗普表示，“如果我們不提高關稅，他們一分錢都不會投資，包括美國鋼鐵制造業(yè)也是如此，現(xiàn)在美國鋼鐵制造業(yè)發(fā)展得很好。” 然而，汽車制造商一直在施壓白宮，要求降低特朗普政府加征的25%汽車關稅。底特律三大汽車制造商通用汽車、福特汽車和Stellantis集團曾批評英美之間達成的一項貿(mào)易協(xié)議，該協(xié)議削減了對英國進口汽車征收的關稅，但對加拿大和墨西哥產(chǎn)汽車的關稅卻維持不變，而這三大車企在加拿大和墨西哥均設有重要生產(chǎn)基地。 墨西哥上月表示，在墨西哥組裝并出口至美國的汽車將面臨平均15%的關稅，而非25%，因為美國政府正根據(jù)汽車所含的美國本土生產(chǎn)的零部件價值給予制造商關稅減免。 汽車制造商正面臨因關稅帶來的日益增長的成本壓力。最近幾周，福特汽車和斯巴魯美國公司已因特朗普關稅導致成本上升，對部分車型提價。5月，福特預計關稅將使其調(diào)整后收益減少約15億美元。 通用汽車上月稱，其當前面臨的關稅風險敞口在40億至50億美元之間，其中約20億美元涉及從韓國進口的平價車型，通用在韓國生產(chǎn)雪佛蘭和別克的入門級車型。
2025-06-13 13:21:54
